XLD905-75WP905nm 75W 고전력 펄스 레이저 다이오드적층 터널 접합 기술을 사용하여 75W의 고출력을 달성합니다. 그것은 서로 위에 쌓인 총 10개의 pn 접합을 가지고 있습니다. 각 pn 접합은 이전 접합의 출력 전력을 증폭하는 역할을 합니다. pn 접합을 적층하면 전극과 반도체 층 사이의 접촉 면적이 더 커져 출력이 높아집니다. 적층형 터널 접합 기술은 고출력 레이저 다이오드를 구축하기 위한 유망한 접근 방식입니다.

905 nm laser diode

매개변수	상징	단위	일반적인 수치
광학 매개변수(@25도)
중심 파장	λ	nm	905
용인	λo	nm	± 10
스펙트럼 폭	△λ	nm	5 이하
작업 모드	펄스
힘	포	W	75
발광 크기	L	μm∙ μm	200*10
빔 발산 각도	θ⊥	도	28 이하
빔 발산 각도	θ∥	도	10 이하
빔 지향성	θ	도	±1.5 이하
전기적 특성(@25도)
임계 전류	이	A	1
작동 전류	웁	A	30
작동 전압	보프	V	24
작동 펄스 폭	t	NS	100
반복 빈도	f	kHz	5
듀티 사이클	D	-	0.05퍼센트
열적 특성
근무 온도	TC	ºC	-40~70
보관 온도	Tstg	ºC	-40~85
파장 온도 계수	--	nm/ºC	0.28
용접 온도	TS	ºC	260

메모:

[1] θ⊥ 및 θ∥의 정의는 50% 피크 값의 각도입니다.

[2] 모든 테스트 날짜는 25도를 기준으로 하며 작동 온도가 과온일 때 작동 수명에 영향을 미칩니다.

그만큼905nm 75W 고전력 펄스 레이저 다이오드레이저 다이오드의 패키징은 레이저 다이오드의 안정성과 신뢰성을 유지하는 데 필수적입니다. 전통적인 패키징 방식은 금속 패키지에 레이저 다이오드를 밀봉하는 것과 관련이 있습니다. 그러나 이 방법은 비용과 시간이 많이 소요됩니다. 저비용 플라스틱 포장의 출현은 레이저 다이오드 분야에서 새로운 지평을 열었습니다. 플라스틱 포장은 비용 효율적일 뿐만 아니라 더 빠른 생산을 가능하게 합니다. 그만큼905nm 75W 고전력 펄스 레이저 다이오드레이저 다이오드의 전체 비용을 줄이기 위해 저렴한 플라스틱 포장을 사용합니다. 포장은 비용 효율적이고 사용하기 쉬우며 신뢰성이 높도록 설계되었습니다. 플라스틱 포장은 레이저 다이오드를 적절하게 보호하고 안정성을 유지하는 데 도움이 됩니다.

905nm 15W High Power IR Laser Diode

레이저 다이오드의 광원 크기는 반도체 레이저 캐비티의 물리적 크기입니다. 그만큼905nm 75W 펄스 레이저 다이오드광원 크기는 200um*10um입니다. 작은 광원 크기는 작은 빔 크기가 필요한 응용 분야에서 매우 유용합니다. 작은 빔 크기는 고해상도 및 고도로 집중된 레이저 출력을 허용합니다. 그만큼펄스 레이저 다이오드고해상도 빔이 필요한 레이저 스캐닝과 같은 응용 분야에 탁월한 선택입니다.

905nm 75W Laser Diode

905nm 75W 고전력 펄스 레이저 다이오드전체 치수(단위: mm)

레이저 다이오드의 펄스 폭은 레이저 다이오드의 성능을 결정하는 필수 매개변수입니다. 펄스 폭은 레이저 펄스의 지속 시간으로 정의됩니다. 이것고출력 펄스 레이저 다이오드1-100ns 범위에서 조정 가능한 펄스 폭을 제공합니다. 이러한 광범위한 펄스 폭을 통해 사용자는 특정 요구 사항에 맞게 레이저 다이오드의 성능을 조정할 수 있습니다. 조정 가능한 펄스 폭 기능은 레이저 범위 찾기, 레이저 스캐닝 및 레이저 무기와 같은 응용 분야에서 매우 유용합니다.

905 nm laser diode